FDP3205
N沟道 MOSFET,电流:100A,耐压:55V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP3205
- 商品编号
- C3290300
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 345pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 610pF |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能使硅得到最佳利用，从而实现出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 40A，100V
- rDS(ON) = 0.040 Ω
- 单脉冲雪崩耐量（UIS）额定曲线
- 安全工作区（SOA）受功率耗散限制
- 工作温度175°C
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 双极晶体管发射极开关