FQP9N08L
N沟道,电流:9.3A,耐压:80V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP9N08L
- 商品编号
- C3290296
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
该系列器件采用先进的超结技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。
商品特性
- 9.3A、80V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.21Ω
- 低栅极电荷(典型值4.7nC)
- 低Crss(典型值16pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175°C
- 低电平栅极驱动要求,允许直接由逻辑驱动器操作
应用领域
-汽车-DC/DC转换器的高效开关-直流电机控制