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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 155W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.745nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 840pF |
商品特性
- 低栅极电荷和电容
- 易于驱动
- 开关速度快
- 国际标准封装
- 低导通电阻RDS(on)
- 额定用于无钳位电感负载开关（UIS）
- 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度