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IPD65R225C7
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD65R225C7
- 商品编号
- C3289135
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 225mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 996pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 增强 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
- 凭借市场上最低的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 实现更高效率
- TO220/TO247/DPAK 和 D2PAK 封装中一流的 RDS(on)
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
应用领域
- 例如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域的 PFC 级和硬开关 PWM 级。
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