FDD6N50RTF

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的电子镇流器。

• 2.4A、600V，VGS = 10V时，RDS(导通) = 3.4Ω
• 低栅极电荷（典型值10.5nC）
• 低Crss（典型值5pF）
• 快速开关
• 100%雪崩测试
• 改善的dv/dt能力