我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
BSC025N03MSG实物图
  • BSC025N03MSG商品缩略图
  • BSC025N03MSG商品缩略图
  • BSC025N03MSG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC025N03MSG

耐压:30V 电流:100A

商品型号
BSC025N03MSG
商品编号
C3283214
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.32克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)98nC@10V
输入电容(Ciss)7.6nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)2.1nF

商品概述

UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET经过专门设计,可降低导通电阻,提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFET™ MOSFET具有卓越的体二极管反向恢复性能。其反向恢复时间(trr)小于50纳秒,反向dv/dt抗扰度为20V/纳秒,而普通平面MOSFET的这两个参数分别超过200纳秒和4.5V/纳秒。因此,在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中,UniFET Ultra FRFET MOSFET可省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。

商品特性

  • 栅源电压(VGS) = 10V、漏极电流(ID) = 2A时,漏源导通电阻(RDS(on)) = 1.65欧姆(典型值)
  • 低栅极电荷(典型值11纳库仑)
  • 低反向传输电容(Crss)(典型值5皮法)
  • 经过100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 符合RoHS标准

应用领域

-液晶/发光二极管电视-照明-不间断电源-交直流电源

数据手册PDF