商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 229pF |
商品概述
这些采用双SO-8封装的HEXFET®功率MOSFET采用先进的处理技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这些HEXFET功率MOSFET的其他特性包括150°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些优势相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。 高效的SO-8封装具有出色的热特性和双MOSFET管芯能力，非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO-8封装可显著节省电路板空间，也提供卷带包装形式。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 表面贴装
- 提供卷带包装形式
- 150°C工作温度
- 无铅