IPD160N04LG
N沟道,电流:30A,耐压:40V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD160N04LG
- 商品编号
- C3282875
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@10uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品特性
- 内置偏置电路；降低使用部件成本和印刷电路板空间。
- 低噪声；在 f = 200MHz 时，典型噪声系数 NF = 1.0 dB；在 f = 900MHz 时，典型噪声系数 NF = 1.75 dB
- 高增益；在 f = 200MHz 时，典型功率增益 PG = 30 dB；在 f = 900MHz 时，典型功率增益 PG = 22 dB
- 抗静电放电；内置静电放电吸收二极管。在 C = 200pF、Rs = 0 的条件下，可承受高达 200V 的电压。
- 提供微型模塑封装；CMPAK - 4（SOT - 343mod）