FDZ451PZ
P沟道 MOSFET,电流:-2.6A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ451PZ
- 商品编号
- C3282062
- 商品封装
- WLCSP-4(0.8x0.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 555pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
应用领域
- 标准级：计算机；办公设备；通信设备；测试与测量设备；视听设备；家用电器；机床；个人电子设备
- 高质量级：运输设备（汽车、火车、轮船等）；交通控制系统；防灾系统；防盗系统；非生命支持专用医疗设备