FQP18N50V2
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP18N50V2
- 商品编号
- C3280642
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 265mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。该器件集成了TrenchPLUS二极管，用于静电放电（ESD）保护和温度传感。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 集成温度传感器，可实现灵敏的温度监测
- 符合Q101标准
- 集成保护二极管，静电耐受性强
- 低导通电阻，导通损耗低
应用领域
- 12 V和24 V高功率电机驱动
- 汽车及通用电源开关
- 电动助力转向系统（EPAS）
- 灯具保护驱动