FQP9N08
N沟道,电流:9.3A,耐压:80V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP9N08
- 商品编号
- C3280626
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
RM120N40T2采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 120A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 4mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 7mΩ
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具备高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的优秀封装
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源