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HUFA75343P3
1个N沟道 耐压:55V 电流:75A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUFA75343P3
- 商品编号
- C3280617
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如音频放大器、DC/DC转换器的高效开关、直流电机控制和不间断电源。
商品特性
- 16.4A、150V，VGS = 10V时RDS(on) = 0.16Ω
- 低栅极电荷（典型值23nC）
- 低Crss（典型值30pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175°C
应用领域
- 音频放大器-DC/DC转换器的高效开关-直流电机控制-不间断电源