TSM301K12CQ RFG
P沟道,电流:-4.5A,耐压:20V
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- 商品型号
- TSM301K12CQ RFG
- 商品编号
- C3280339
- 商品封装
- TDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9.7pF |
商品特性
- 采用MOSFET和低正向压降(Vf)肖特基二极管(SKY)配置
- 封装厚度低至0.75mm(典型值)
- 独立引脚输出,设计灵活
应用领域
-便携式设备负载开关-DC-DC降压电路-锂离子电池应用-手机充电器开关