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IPD60N10S412ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD60N10S412ATMA1

1个N沟道 耐压:100V 电流:60A

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商品型号
IPD60N10S412ATMA1
商品编号
C3279100
商品封装
TO-252-3-313​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

    商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    类型1个N沟道
    漏源电压(Vdss)100V
    连续漏极电流(Id)60A
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12.2mΩ@60A,10V
    属性参数值
    功率(Pd)94W
    阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@46uA
    栅极电荷(Qg@Vgs)34nC@10V
    输入电容(Ciss@Vds)2.47nF@25V
    工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

    优惠活动

    购买数量

    (2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个2500个/圆盘

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