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IPP60R160P6XKSA1

1个N沟道耐压:600V 电流:23.8A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPP60R160P6XKSA1
商品编号: C3278780
商品封装: TO-220-3
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

增强MOSFET的dv/dt鲁棒性
极低的FOM（Rdson*Qg和Eoss）带来极低的损耗
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
无铅镀层，无卤模塑料
符合JEDEC（J - STD20和JESD22）工业级应用标准

应用领域

PFC级电路-硬开关PWM级电路-谐振开关级电路,例如用于PC电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和UPS

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	23.8A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	160mΩ@9A,10V

	属性	参数值
	功率(Pd)	176W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	4.5V@750uA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	44nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	2.08nF@100V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)