FDU8878
N沟道 MOSFET,电流:40A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU8878
- 商品编号
- C3278278
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品特性
- rDS(ON) = 15 m Ω , VGS = 10 V, ID = 35 A
- rDS(ON) = 18.5 m Ω , VGS = 4.5 V, ID = 35 A
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 r\textDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器
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