FDU6680
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A 电流:46A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU6680
- 商品编号
- C3278276
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器。
商品特性
- 2.3A，-250V，栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(on) = 4.0Ω
- 低栅极电荷（典型值6.5 nC）
- 低反向传输电容Crss（典型值6.5 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力