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NTD65N03R-35G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTD65N03R-35G

N沟道, 65A, 25V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTD65N03R-35G
商品编号
C3278274
商品封装
IPAK​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))8.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)16nC@5V
输入电容(Ciss)1.4nF
反向传输电容(Crss)218pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 超低栅极电荷
  • 低反向恢复电荷
  • 提供无铅封装

应用领域

  • 台式机CPU电源
  • DC-DC转换器
  • 高端和低端开关

数据手册PDF