FDU6512A
1个N沟道 耐压:20V 电流:36A 电流:10.7A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU6512A
- 商品编号
- C3278251
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.090 Ω,VGS = 10 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
