NTD4969N-1G
N沟道 MOSFET, 电流:41A, 耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD4969N-1G
- 商品编号
- C3278248
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 837pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 347pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- 三种封装形式,提供设计灵活性
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- CPU电源供应
- DC-DC转换器