FQI13N06TU
N沟道,电流:13A,耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI13N06TU
- 商品编号
- C3278184
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
RFP42N03L、RF1S42N03L和RF1S42N03LSM是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用接近大规模集成电路（LSI）电路的特征尺寸，能实现硅的最佳利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 42A，30V
- 漏源导通电阻rDS(ON) 0.025Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 可直接由CMOS、NMOS和TTL电路驱动
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感应开关（UIS）额定曲线
- 工作温度175°C