FQI2P25TU
1个P沟道 耐压:250V 电流:2.3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI2P25TU
- 商品编号
- C3278183
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 漏源导通电阻 = 3.9 mΩ，栅源电压 = 10 V，漏极电流 = 35 A
- 漏源导通电阻 = 4.4 mΩ，栅源电压 = 4.5 V，漏极电流 = 35 A
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器