FD6M043N08
同步整流模块,电流:65A,耐压:75V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FD6M043N08
- 商品编号
- C3277954
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
FD6M043N08专为更紧凑、更高效的同步整流应用而设计,如互联网服务器电源和电信系统电源。为实现更高效率,它内置了极低导通电阻RDS(ON)的MOSFET。这款功率智能功率模块(Power-SPM)器件可用于正激/桥式转换器PWM变压器的次级侧,在输出电压从12伏降至5伏的范围内提供大电流整流。使用该产品,能够设计出寄生元件减少的电源系统次级侧,从而将电压尖峰和电磁干扰(EMI)噪声降至最低。
商品特性
- 输出12V时具有极高的整流效率
- 集成解决方案,节省电路板空间
- 符合RoHS标准
- 漏源击穿电压VDSS = 75 V
- 总栅极电荷QG(TOTAL) = 99nC(典型值),栅源电压VGS = 10V
- 导通电阻RDS(ON) = 3.5 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 40 A
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷Qrr的体二极管
- 具有非钳位感性负载(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
- 全隔离封装
应用领域
-大电流隔离式转换器-分布式电源架构-同步整流-DC/DC转换器-电池供电应用-或门MOSFET