RM50N30DN
N沟道,电流:50A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM50N30DN
- 商品编号
- C3277763
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON6284采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
-驱动要求简单-尺寸小且厚度低-符合RoHS标准且无卤