商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 栅源电压（VGS）= 10 V、漏极电流（ID）= 13.3 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)）= 8.5 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V、漏极电流（ID）= 10.6 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)）= 11.5 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的漏源导通电阻（rDS(on)）
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流降压转换器-笔记本电池电源管理-笔记本负载开关