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PJM20H05NTE
1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
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- 描述
- 1个N沟道，VDS=200V ID=5A ,PD:40W RDS(ON)<3Ω@Vgs=4.5V，开关速度快，低的Qg，反向传输电容小
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM20H05NTE
- 商品编号
- C36493743
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 80pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
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