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PJMG10H45NTE
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- 1个N沟道，VDS=100V ID=45A ,PD:72W RDS(ON)<17mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJMG10H45NTE
- 商品编号
- C36493750
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.187nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的双 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，封装于小型无引脚超薄 DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
商品特性
- 先进的分裂栅极沟槽技术
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源