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PJM150N30TE
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 1个N沟道，VDS=30V ID=150A ,PD:72W RDS(ON)<3.4mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM150N30TE
- 商品编号
- C36493753
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.811nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 337pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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