温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJM10H15NTE
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 1个N沟道，VDS=100V ID=15A ,PD:46W RDS(ON)<100mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM10H15NTE
- 商品编号
- C36493751
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3级
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源