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PJM65H02CNTE
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- 1个N沟道，VDS=650V ID=2A ,PD:35W RDS(ON)<5.3Ω@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM65H02CNTE
- 商品编号
- C36493744
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 296pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-先进沟槽技术-符合RoHS和REACH标准-无卤素和锑-潮湿敏感度等级3级
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理