L99LD02Q505TR
升压型 3V~28V
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- 描述
- L99LD02是一款两相恒频电流模式升压控制器,能够驱动N沟道功率MOSFET。输入电压范围为3V至28V,输出电压可调至最高80V。支持多相操作,具有多种保护功能,如过压保护、输入过流保护等。通过ST SPI接口可编程配置。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- L99LD02Q505TR
- 商品编号
- C3189232
- 商品封装
- QFN-32(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 升压型 | |
| 工作电压 | 3V~28V | |
| 输出电压 | 14.7V~80V | |
| 开关频率 | 100kHz~470kHz | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 否 | |
| 输出通道数 | 2 | |
| 拓扑结构 | 升压式 | |
| 静态电流(Iq) | 1.5mA | |
| 开关管(内置/外置) | 外置 | |
| 输出类型 | 可调 |
商品概述
L99LD02是一款两相、固定频率、电流模式升压控制器，能够驱动N沟道功率MOSFET。 SYNC I/O引脚支持多相操作，可提供相移时钟信号。多个器件的升压控制器可以堆叠，以便在高功率应用中实现多相操作。多相操作可降低系统滤波电容和电感要求。 工作频率可通过SPI在100kHz至470kHz之间进行配置。其他特性包括用于栅极驱动器的内部10V LDO、软启动、可从升压输出获取器件电源以及可预配置的跛行回家模式操作。
商品特性
- 符合AEC - Q100标准
- 32位ST SPI通信v 4.1
- 支持独立运行
- QFN32L 5x5带散热焊盘
- 超时看门狗和跛行回家功能
- 宽输入范围：3V至28V工作
- 可从升压输出获取器件电源
- 可调升压输出电压 - 最高可达80V
- 为标准电平MOSFET提供10V栅极驱动器电源
- 内部10V LDO稳压器
- 固定频率架构 - 可通过SPI编程
- 抖动振荡器参数（如频率调制和偏差百分比） - 可通过SPI编程
- 具有可编程输入电流限制的峰值电流模式控制
- 恒压调节
- 可调斜率补偿 – 软启动
- 多相操作 - 支持多达4相
- 用于支持多相操作的SYNC I/O引脚
- 可调时钟分配和相移
- 可编程误差放大器增益
- 跛行回家模式下可完全配置
- 冷启动时保证升压功能
- 输入过流保护 - 可通过SPI编程
- 热警告
- 热关断
- 过压保护（OVP）
应用领域
- LED模块应用。