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L6986ITR
隔离降压电源管理芯片
- 描述
- L69861 是一款专为隔离降压拓扑设计的电源管理芯片。它具有4V至38V的输入电压范围,无需光耦即可实现初级输出电压调节。典型峰值初级电流能力为1.9A,采用HTSSOP16封装。该芯片基于峰值电流模式架构,具有300ns的消隐时间,8μA的关断电流,可调开关频率和同步功能。内置初级输出电压监督器,可调软启动时间,内部初级电流限制,过压保护,热关断等功能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- L6986ITR
- 商品编号
- C3191018
- 商品封装
- HTSSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 4V~38V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | - | |
| 开关频率 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(TJ) | |
| 同步整流 | 是 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | - |
商品概述
L6986I是一款专为隔离式降压拓扑设计的器件。由于采用P沟道MOSFET作为高端功率开关，该器件具备100%占空比运行能力。主输出电压可精确调节，而隔离的次级输出则通过给定的变压器匝数比获得，无需光耦合器。主端灌电流能力高达1.9 A（即使在软启动期间），既允许向次级侧进行适当的能量传输，也能实现次级输出的跟踪软启动。控制环路基于峰值电流模式架构，器件工作于强制PWM模式。300 ns的消隐时间可过滤变压器漏感产生的振荡，使解决方案更可靠。对两个功率元件进行逐脉冲电流检测，可在主端实现有效的恒流保护。由于具备主端反向电流限制功能，次级输出可免受短路事件影响。此外，还设有主输出电压监控器，可通过RST开集电极输出通知主输出电压调节情况，同时具备过压保护、可调开关频率、同步功能和可编程软启动功能。
商品特性
- 专为隔离式降压拓扑设计
- 4 V至38 V工作输入电压
- 主输出电压调节/无需光耦合器
- 典型主端灌电流峰值能力为1.9 A
- 强制PWM运行中的峰值电流模式架构
- 300 ns消隐时间
- 待机模式下静态电流为8 µA
- 可调开关频率和同步功能
- 内置主输出电压监控器
- 可调软启动时间
- 内部主电流限制
- 过压保护
- 高端MOSFET导通电阻为180 mΩ，低端MOSFET导通电阻为150 mΩ
- 热关断功能
应用领域
- SiC MOSFET和IGBT驱动器的隔离电源
- 隔离接口（RS232、I2C、SPI等）的隔离电源
- 电动汽车充电器
- 电机驱动器
- 自动化设备
- 不间断电源（UPS）
- 太阳能转换器
- 焊接设备