该器件是一款用于 3.3V、5V 和 12V 总线高性能 DC-DC 转换的 PWM 控制器。
输出电压可调节至低至 0.9V；使用外部分压器可获得更高电压。
高峰值电流栅极驱动器可实现外部功率部分的快速开关，输出电流可超过 20A。
该器件具备负载过流和过压保护功能。还设有内部短路保护电路，只要检测到过压，就会导通低端 MOSFET。若检测到过流，软启动电容将放电，系统进入打嗝（HICCUP）模式。
该器件是采用 BCD 技术实现的集成电路。该控制器为高性能降压型 DC-DC 转换器提供完整的控制逻辑和保护功能。它设计用于驱动同步整流降压拓扑中的 N 沟道 MOSFET。当使用内部参考电压（只需将 EAREF 和 VREF 引脚连接在一起）时，转换器的输出电压可精确调节至低至 900mV，最大公差为 ±1.5%。该器件也允许使用外部参考电压（0.9V 至 3V）进行调节。该器件提供具有快速瞬态响应的电压模式控制。它包含一个 200kHz 的自由运行振荡器，频率可从 50kHz 调节至 1MHz。误差放大器具有 10MHz 的增益带宽积和 10V/μs 的压摆率，可实现高转换器带宽以获得快速瞬态性能。PWM 占空比范围为 0% 至 100%。该器件可防止过流情况，进入打嗝（HICCUP）模式。该器件通过使用上 MOSFET 的 rDS(ON) 来监测电流，无需使用电流检测电阻。该器件采用 SO16 窄封装。
