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RM6314DA

SSR副边反馈4A/650V MOSFET

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描述: SSR副边反馈4A/650V MOSFET 适用功率18W以内典型搭配：RM6314DA+RM5036SH(或肖特基二极管)
品牌名称: Reactor-Micro(亚成微)
商品型号: RM6314DA
商品编号: C3029830
商品封装: DIP-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.71克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

RM6314DA是一颗电流模式PWM控制芯片，内置高压功率MOSFET，用于功率在15W以内的方案。内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（OVP），VDD过压箝位，欠压保护（UVLO）等，采用抖频技术更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制。系统的跳频频率设置在音频(20KHz)以上，工作时可以避免系统产生噪音。使用DIP - 8无铅封装。

RM6314DA是一颗低功耗离线式开关电源控制芯片，用于24W以内的方案。内置跳频、抖频等功能，可以减小待机功耗，改善系统的EMI性能，更易满足相关的国际标准。

商品特性

符合6级能效标准，在通用交流输入时待机功率<75mW
内置650V高压功率管
4ms软启动用来减少MOSFET上Vds的应力
抖频功能，改善EMI性能
跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗
无噪声工作
固定65KHz开关频率
内置同步斜坡补偿
低启动电流，低工作电流
内置前沿消隐(LEB)功能
保护功能：欠压保护（UVLO）、过热保护（OTP）、逐周期限流保护（OCP）、过载保护（OLP）、过压保护（OVP）

应用领域

AC/DC电源适配器

数据手册PDF

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