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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

RMA70R1K0SN

耐压:700V 电流:4A

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描述
采用多层外延工艺，抗浪涌强;改善EMC
品牌名称
Reactor-Micro(亚成微)
商品型号
RMA70R1K0SN
商品编号
C3029903
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))1Ω@10V
耗散功率(Pd)37W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)9.1nC@10V
输入电容(Ciss)315pF@100V
反向传输电容(Crss)1.2pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 威昂小信号MOSFET
  • VDS = 20 V，ID = 3.1 A
  • 在VGS = 4.5 V时，RDS(导通) < 45 mΩ
  • 在VGS = 2.5 V时，RDS(导通) < 60 mΩ
  • 沟槽低压MOSFET技术

数据手册PDF

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