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RMK65R380SN

N通道,电流:11A,耐压:650V

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描述
采用多层外延工艺,抗浪涌强;改善EMC
商品型号
RMK65R380SN
商品编号
C3029908
商品封装
VSON-4(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.26克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))380mΩ@10V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19.2nC@10V
输入电容(Ciss)852pF
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)37pF

商品概述

采用先进沟槽技术设计的N沟道SGT功率MOSFET。该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on),可大幅降低开关和传导损耗。因此,它非常适用于DC/DC转换器,是高频开关和同步整流的理想选择。

商品特性

  • 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 无铅引脚镀层

应用领域

  • DC/DC转换器-适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF