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RM6514S

650V

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描述: SSR副边反馈4A/650V SJMOSFET 适用功率24W以内典型搭配：RM6514S+RM5038SH（或RM3434SH)
品牌名称: Reactor-Micro(亚成微)
商品型号: RM6514S
商品编号: C3029832
商品封装: SOP-7
包装方式: 管装
商品毛重: 0.13克(g)

商品参数

	属性	参数值
	晶体管耐压	650V
	拓扑结构	反激式
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OTP)；过压保护(OVP)；过流保护(OCP)；软启动
	工作温度	-40℃~+150℃
	工作模式	CCM；PFM 调制；QR
	输出电压	-
	反馈方式	-

商品概述

RM6514S 是一种离线式开关电源管理芯片，内置电流模式 PWM+PFM 控制器，支持谷底检测开通功能，满足六级能效标准。 RM6514S 采用低电流启动模式及低工作电流，减少待机损耗。芯片内置多种工作模式，在空载情况下，芯片进入 Burst mode 模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；在轻载情况下，电路进入 QR 模式，有效提高电路的转换效率；在低压重载情况下，电路进入固定频率 CCM 模式。内部集成斜坡补偿模块，有利于 CCM 模式下系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。芯片外置 OVP 保护功能，可以通过 VSET 管脚的上偏电阻调节芯片的 OVP 保护上限，以满足不同条件的用户需求。芯片内部集成多种异常状态保护功能，包括 VDD 欠压保护及过压保护，过载保护，CS 过流和悬空保护，过温保护功能。在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，直至异常解除为止，输出正常。

商品特性

Burst mode 模式去除音频噪音并提高载效率
低启动电流和工作电流
满足六级能效标准
满载 65KHz 固定频率 QR/谷底开通模式轻载/空载 Burst mode
软启动功能
具备抖频模式降低 EMI
电流模式控制
内置 CS 管脚短路保护功能
内置斜坡补偿功能
内置前沿消隐
VDD 过压保护和欠压保护
过载保护和过温保护
外置输出 OVP
逐周期限流功能
输出二极管短路保护功能

应用领域

电源适配器
开放式电源
TV/机顶盒电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	AC-DC控制器和稳压器
	是否隔离	隔离
	工作电压	-
	开关频率	60kHz~70kHz
	输出电流	-
	耗散功率(Pd)	-
	最大占空比	80%