RM6601SD
SSR副边反馈 外推超结MOS
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- 描述
- SSR副边反馈 外推超结MOS 适用功率75W以内 典型搭配:RM6601SD+RMK65R280SN+RM3430T+RMD070N10S
- 商品型号
- RM6601SD
- 商品编号
- C3029836
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
RM6601SD是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片,全电压范围内待机功耗小于75mW,满足六级能效标准,并且支持CCM/QR混合模式。RM6601SD集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下,在低压输入时会进入CCM模式;在重载情况下,系统工作在QR模式,以降低开关损耗,同时结合PFM工作模式提高系统效率;RM6601SD采用专有的分段驱动技术,易于搭配超结MOSFET(CoolMOS)改善EMI设计;在轻载或空载情况下,系统工作在BurstMode模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6601SD本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善EMI。RM6601SD同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括VCC OVP,内置OTP,外置OVP,欠压锁定(uvlo),逐周期过流保护OCP,过载保护(OLP),CS短路保护,输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿功能。RM6601SD是一种内置高压启动,具有线电压检测功能的离线式开关电源管理芯片,满足六级能效要求。内部高低压功率补偿模块,在全电压输入时补偿输出功率,保证输出功率的恒定。芯片内部集成多种异常状态保护功能,包括欠压锁定,过压保护,过载保护,CS过流和悬空保护,过温保护功能。在电路发生异常时,芯片进入保护状态并自动重启,直至异常解除为止。
商品特性
- 支持CCM/QR混合模式
- 内置700V高压启动
- 支持最大130KHz工作频率
- 专有分段驱动技术
- 内置特有抖频技术改善EMI
- Burst Mode去噪音
- 低启动电流(2uA),低工作电流
- 集成斜坡补偿及高低压功率补偿
- 集成AC输入Brown out/in功能
- 外置OVP保护
- 具有输出肖特基短路保护/CS短路保护
- 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护
应用领域
- 快速充电器
- 大功率适配器
- TV电源
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