RM6604NDL

RM6604NDL是一款内置650V GaNFET，高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式，提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。 RM6604NDL集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频85Khz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6604NDL采用专有的驱动技术，搭配高压GaNFET功率器件改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6604NDL本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。 RM6604NDL同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定（uvlo），逐周期过流保护OCP，过载保护（OLP），CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿。

• 多种保护
• 内置700V高压启动
• 内置650V GaNFET
• 支持最大85KHz工作频率
• 内置特有抖频技术改善EMI
• Burst Mode去噪音
• 低启动电流（2uA），低工作电流
• 集成斜坡补偿
• 集成输入Brown out/in功能
• 外置OVP保护
• 具有输出肖特基短路保护/CS短路保护
• 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护

• 快速充电器
• 大功率适配器
• TV电源