RM6515D
内置高压MOSFET、满足6级能效的PWM+PFM控制器
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- 描述
- SSR副边反馈内置5A/650V MOSFET 适用功率24W以内 典型搭配：RM6515D+RM5036SH
- 商品型号
- RM6515D
- 商品编号
- C3029833
- 商品封装
- DIP-7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | AC-DC控制器和稳压器 | |
| 是否隔离 | - | |
| 工作电压 | - | |
| 开关频率 | 60kHz~70kHz | |
| 输出电流 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 最大占空比 | 80% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 晶体管耐压 | 650V | |
| 拓扑结构 | 反激式 | |
| 功能特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OTP)；短路保护(SCP)；过压保护(OVP)；过流保护(OCP)；软启动 | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作模式 | PFM 调制；CCM；QR；PWM 调制 | |
| 输出电压 | - | |
| 反馈方式 | - |
商品概述
RM6515D 是一种离线式开关电源管理芯片，内置电流模式 PWM+PFM 控制器，支持谷底检测开通功能，满足六级能效标准。 RM6515D 采用低电流启动模式及低工作电流，减少待机损耗。芯片内置多种工作模式，在空载情况下，芯片进入 Burst mode 模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；在轻载情况下，电路进入 QR 模式，有效提高电路的转换效率；在低压重载情况下，电路进入固定频率 CCM 模式。内部集成斜坡补偿模块，有利于 CCM 模式下系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。 芯片外置 OVP 保护功能，可以通过 VSET 管脚的上偏电阻调节芯片的 OVP 保护上限，以满足不同条件的用户需求。 芯片内部集成多种异常状态保护功能，包括 VDD 欠压保护及过压保护，过载保护，CS 过流和悬空保护，过温保护功能。在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，直至异常解除为止，输出正常。
商品特性
- Burst mode 模式去除音频噪音并提高轻载效率
- 低启动电流和工作电流
- 满足六级能效标准
- 满载 65KHz 固定频率 QR/谷底开通模式轻载/空载 Burst mode
- 软启动功能
- 具备抖频模式降低 EMI
- 电流模式控制
- 内置 CS 管脚短路保护功能
- 内置斜坡补偿功能
- 内置前沿消隐
- VDD 过压保护和欠压保护
- 过载保护和过温保护
- 外置输出 OVP
- 逐周期限流功能
- 输出二极管短路保护功能
应用领域
- 电源适配器
- 开放式电源
- TV/机顶盒电源