RM6601SN

RM6601SN是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。 RM6601SN集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6601SN采用专有驱动技术，直驱E - mode GaN FET；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6601SN本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。 RM6601SN同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定（uvlo），逐周期过流保护OCP，过载保护（OLP），CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿功能。

• 支持CCM/QR混合模式
• 内置700V高压启动
• 集成X - CAP放电功能
• 支持最大130KHz工作频率
• 内置特有抖频技术改善EMI
• Burst Mode去噪音
• 低启动电流（2uA），低工作电流
• 集成斜坡补偿及高低压功率补偿
• 集成AC输入Brown out/in功能
• 外置OVP保护
• 具有输出肖特基短路保护/CS短路保护
• 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护

• 快速充电器
• 大功率适配器
• TV电源