RM6000T

RM6000T是一颗电流模式PWM控制芯片，外置高压功率MOSFET，用于功率在65W以内的方案。RM6000T内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（OVP），VDD过压箝位，欠压保护（UVLO）等，采用抖频技术更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制。系统的跳频频率设置在音频(20KHz)以上，工作时可以避免系统产生噪音。

RM6000T是一颗低功耗离线式开关电源控制芯片，用于65W以内的方案。内置跳频、抖频等功能，可以减小待机功耗，改善系统的EMI性能，更易满足相关的国际标准。

• 符合6级能效标准，在通用交流输入时待机功率<75mW
• 针对低于65W的应用进行了优化
• 上电软启动以降低MOSFET Vds应力
• 抖频功能，改善EMI性能
• 固定65KHz开关频率
• 跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗
• 内置同步斜坡补偿
• 低启动电流，低工作电流
• 内置前沿消隐(LEB)功能
• 保护功能：欠压保护（UVLO）
• 过热保护（OTP）
• 逐周期限流保护（OCP）
• 过载保护（OLP）
• 过压保护（OVP）

• 电源适配器
• 开放式电源
• TV/机顶盒电源