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TDM3421
1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 描述
- 类型 P 漏源电压(Vdss) -30 阈值电压(Vgs) 25 连续漏极电流(Id) - 10.5 导通电阻(mΩ) 19 输入电容(Ciss) 999 反向传输电容Crss(pF) 170 栅极电荷(Qg) 20
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3421
- 商品编号
- C380228
- 商品封装
- PPAK-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 999pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
TDM3421采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 32mΩ
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 19mΩ
- 可靠耐用
- ESD保护通过2KV测试
- 提供无铅产品
- PPAK-3*3-8封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理