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DMN3730UFB-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.91A
- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3730UFB-7
- 商品编号
- C3001677
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 910mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 690mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 64.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 0.5mm超薄封装,适用于轻薄应用
- 0.6mm2封装尺寸,比SOT23小10倍
- 低VGS(th),可直接由电池驱动
- 低RDS(on)
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 栅极ESD保护2kV
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-负载开关-便携式应用-电源管理功能
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