温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IDH12G65C6XKSA1
650V SiC肖特基二极管
- 描述
- CoolSiC第6代（G6）是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步提升，引入了新的肖特基金属系统等改进。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS第7代产品系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IDH12G65C6XKSA1
- 商品编号
- C2997929
- 商品封装
- TO-220-2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 整流电流 | 27A | |
| 正向压降(Vf) | 1.35V@12A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 40uA@420V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 64A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |