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SPP17N80C3XKSA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:17A
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- 描述
- 特性：新的革命性高压技术。全球最佳的TO-220封装导通电阻RDS(on)。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。超低有效电容。改善的跨导。PG-TO-220-3-31：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPP17N80C3XKSA1
- 商品编号
- C2997932
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@1000uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 177nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.25nF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- TO 220封装中全球最佳的导通电阻RDS(on)
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高的dv/dt额定值
- 超低有效电容
- 改进的跨导
- PG-TO-220-3-31：全隔离封装（2500 VAC；1分钟）
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
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