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IMW120R090M1HXKSA1
IMW120R090M1HXKSA1
- 描述
- 特性：极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用：能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMW120R090M1HXKSA1
- 商品编号
- C2997935
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 707pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 39pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个30个/管
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