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HSS2N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:1.8A
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- 描述
- HSS2N15是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS2N15符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSS2N15
- 商品编号
- C2987707
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 100% 单脉冲雪崩耐量测试
- 先进沟槽技术
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合 RoHS 标准且无卤
商品特性
- 100% 单脉冲雪崩耐量测试
- 先进沟槽技术
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合 RoHS 标准且无卤
应用领域
- 开关电源同步整流-DC/DC 转换器-或门二极管应用