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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSBA4086

1个N沟道 耐压:40V 电流:230A

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描述
100% UIS 测试。先进的沟槽技术。低栅极电荷。高电流能力。符合 RoHS 和无卤标准
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSBA4086
商品编号
C2987714
商品封装
PRPAK5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.17克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)230A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)128nC@10V
输入电容(Ciss)6.81nF
反向传输电容(Crss)222pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.119nF

商品特性

  • 600V/16mA,VGS = 10V 时,RDS(ON) = 700Ω
  • 600V/3mA,VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 700Ω
  • 耗尽型(常开)
  • 增强的静电放电(ESD)能力
  • 快速开关
  • 增强的 dv/dt 能力
  • SOT - 23 封装设计

应用领域

  • 台式电脑电源
  • 交流适配器
  • 液晶显示器(LCD)TC 电源

数据手册PDF