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HSBA4086

1个N沟道 耐压:40V 电流:230A

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描述
100% UIS 测试。先进的沟槽技术。低栅极电荷。高电流能力。符合 RoHS 和无卤标准
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSBA4086
商品编号
C2987714
商品封装
PRPAK5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.17克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)230A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)128nC@10V
输入电容(Ciss)6.81nF
反向传输电容(Crss)222pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.119nF

商品概述

经过100% UIS测试,采用先进的SGT MOS技术,具有低栅极电荷和高电流能力,符合RoHS和无卤标准。

商品特性

  • 经过100% UIS测试
  • 采用先进的SGT MOS技术
  • 低栅极电荷
  • 高电流能力
  • 符合RoHS和无卤标准

应用领域

  • 开关电源同步整流
  • DC/DC转换器
  • 或门电路

数据手册PDF