1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
- 1+: ¥4.04 / 个
- 10+: ¥3.57 / 个
- 30+: ¥3.34 / 个
- 100+: ¥3.11 / 个
- 500+: ¥2.98 / 个
- 1000+: ¥2.9 / 个 (折合1圆盘14500元)
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¥4.04 / 个 |
10+: |
¥3.57 / 个 |
30+: |
¥3.34 / 个 |
100+: |
¥3.11 / 个 |
500+: |
¥2.98 / 个 |
1000+: |
¥2.9 / 个 (折合1圆盘14500元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
功率(Pd) | 52.1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,20A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 115nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 7.09nF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 722pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |